Name: FDD1600N10ALZ
Brand: onsemi
SKU: FDD1600N10ALZTR-ND
Price: 1.0234 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FDD1600N10ALZ
DigiKey-Teilenr.	FDD1600N10ALZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) FDD1600N10ALZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) FDD1600N10ALZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	onsemi
Hersteller-Teilenummer	FDD1600N10ALZ
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers	20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 6,8 A (Tc) 14,9W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	FDD1600N10ALZ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	onsemi
Serie	PowerTrench®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	6,8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	160mOhm bei 3,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,8V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	3.61 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	225 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	14,9W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 155°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	FDD1600