TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

FCP099N65S3

DigiKey-Teilenr.
FCP099N65S3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCP099N65S3
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 30A TO220-3
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 30 A (Tc) 227W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
FCP099N65S3 Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
99mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2480 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
227W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
15,66000 €5,66 €
503,01220 €150,61 €
1002,75710 €275,71 €
5002,31040 €1.155,20 €
1.0002,26927 €2.269,27 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:5,66000 €
Stückpreis mit MwSt.:6,73540 €