N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 595W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 595W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
onsemi SuperFETIII Series | Digi-Key Daily

FCH023N65S3L4

DigiKey-Teilenr.
FCH023N65S3L4OS-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
FCH023N65S3L4
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 75 A (Tc) 595W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
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Herst.
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Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
23mOhm bei 37,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 7,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
7160 pF @ 400 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
595W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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