Name: PXN8R3-30QLJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PXN8R3-30QLJTR-ND
Price: 0.476 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PXN8R3-30QLJ
DigiKey-Teilenr.	1727-PXN8R3-30QLJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PXN8R3-30QLJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PXN8R3-30QLJDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PXN8R3-30QLJ
Beschreibung	PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 11,4A (Ta), 31A (Tc) 1,7W (Ta), 12,5W (Tc) Oberflächenmontage MLPAK33
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	PXN8R3-30QLJ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	11,4A (Ta), 31A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	8,3mOhm bei 11,4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	15.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	760 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1,7W (Ta), 12,5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	MLPAK33
Gehäuse / Hülle	8-PowerVDFN