Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 8.5799 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN2R3-100SSEJ
DigiKey-Teilenr.	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN2R3-100SSEJ
Beschreibung	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK88 (SOT1235)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	PSMN2R3-100SSEJ Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	255A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	2,2mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	160 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	17200 pF @ 50 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	341W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK88 (SOT1235)
Gehäuse / Hülle	SOT-1235
Basis-Produktnummer	PSMN2R3