Name: PSMN1R1-80ASFJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND
Price: 10.7219 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

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PSMN1R1-80ASFJ
DigiKey-Teilenr.	1727-PSMN1R1-80ASFJTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-PSMN1R1-80ASFJCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-PSMN1R1-80ASFJDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN1R1-80ASFJ
Beschreibung	NEXTPOWER 80 V, 1.11 MOHM, N-CHA
Standardlieferzeit des Herstellers	13 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 80 V 385A (Tc) 935W (Tc) Oberflächenmontage CCPAK1212
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	385A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	7V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,11mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	363 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	24627 pF @ 40 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	935W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	CCPAK1212
Gehäuse / Hülle	12-BESOP (0,370", 9,40mm Breite) mit freiliegendem Pad