Name: PSMN1R0-30YLDX
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-1859-2-ND
Price: 2.2015 EUR
Availability: OutOfStock

PSMN1R0-30YLDX ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

onsemi

Vorrätig: 1.164

Stückpreis : 2,11000 €

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 478

Stückpreis : 2,24000 €

Ähnlich

onsemi

Vorrätig: 0

Stückpreis : 2,38000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN1R0-30YLDX
DigiKey-Teilenr.	1727-1859-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-1859-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-1859-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN1R0-30YLDX
Beschreibung	MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 30 V 100 A (Tc) 238W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK56, Power-SO8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	100 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,02mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	121.35 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8598 pF @ 15 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	238W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK56, Power-SO8
Gehäuse / Hülle	SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer	PSMN1R0