Name: PSMN102-200Y,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-5227-2-ND
Price: 2.3205 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

PSMN102-200Y,115
DigiKey-Teilenr.	1727-5227-2-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-5227-1-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-5227-6-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	PSMN102-200Y,115
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Standardlieferzeit des Herstellers	16 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 21,5 A (Tc) 113W (Tc) Oberflächenmontage LFPAK56, Power-SO8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	21,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	102mOhm bei 12A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	30.7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1568 pF @ 30 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	113W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	LFPAK56, Power-SO8
Gehäuse / Hülle	SC-100, SOT-669
Basis-Produktnummer	PSMN102