GAN039-650NTBZ Nexperia USA Inc. | Diskrete Halbleiterprodukte

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GAN039-650NTBJ

Nexperia USA Inc.

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GAN039-650NTBZ
DigiKey-Teilenr.	1727-GAN039-650NTBZTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 1727-GAN039-650NTBZCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 1727-GAN039-650NTBZDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Nexperia USA Inc.
Hersteller-Teilenummer	GAN039-650NTBZ
Beschreibung	650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 58,5A (Tc) 250W (Tc) Oberflächenmontage CCPAK1212i
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Bei Digi-Key nicht mehr erhältlich
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	GaNFET (Galliumnitrid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	58,5A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	39mOhm bei 32A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,6V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1980 pF @ 400 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	250W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	CCPAK1212i
Gehäuse / Hülle	12-BESOP (0,370", 9,40mm Breite) mit freiliegendem Pad

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