P-Kanal 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
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VP3203N3-G

DigiKey-Teilenr.
VP3203N3-G-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
VP3203N3-G
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
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VP3203N3-G Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 10mA
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Tasche
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
300 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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