TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VP3203N3-G

DigiKey-Teilenr.
VP3203N3-G-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
VP3203N3-G
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers
4 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 30 V 650mA (Tj) 740mW (Ta) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
VP3203N3-G Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Tasche
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
600mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 10mA
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
740mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-92-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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