Name: VP2206N3-G
Brand: Microchip Technology
SKU: VP2206N3-G-ND
Price: 2.618 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

VP2206N3-G
DigiKey-Teilenr.	VP2206N3-G-ND
Hersteller	Microchip Technology
Hersteller-Teilenummer	VP2206N3-G
Beschreibung	MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3
Standardlieferzeit des Herstellers	7 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 60 V 640mA (Tj) 740mW (Tc) Durchkontaktierung TO-92-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	VP2206N3-G Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Microchip Technology
Serie	-
Verpackung	Tasche
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	640mA (Tj)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	900mOhm bei 3,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,5V bei 10mA
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	450 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	740mW (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-92-3
Gehäuse / Hülle	TO-226-3, TO-92-3 Standard-Gehäuse (TO-226AA)
Basis-Produktnummer	VP2206