N-Kanal 800 V 19 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
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APT18M80B

DigiKey-Teilenr.
APT18M80B-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
APT18M80B
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 19A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
20 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 19 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 [B]
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
120 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3760 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 [B]
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
530mOhm bei 9A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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