SICW060N065H4-BP
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SICW080N120Y4-BP

DigiKey-Teilenr.
353-SICW080N120Y4-BP-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SICW080N120Y4-BP
Beschreibung
N-CHANNEL MOSFET,TO-247-4
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 39A 223W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Lose im Beutel
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
85mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,6V bei 5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
41 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+22V, -8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
890 pF @ 1000 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
223W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Fragen und Antworten zum Produkt

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