N-Kanal 1200 V 27 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 1200 V 27 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
1200 V, 80 mOhm SiC MOSFET

LSIC1MO120E0120

DigiKey-Teilenr.
F11004-ND
Hersteller
Littelfuse Inc.
Hersteller-Teilenummer
LSIC1MO120E0120
Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 27A TO247-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 27 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Littelfuse Inc.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
27 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
150mOhm bei 14A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 7mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
63 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+22V, -6V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1130 pF @ 800 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
156W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
LSIC1MO120
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Verfügbar bis: 30.05.2026