


IXTY4N65X2 | |
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DigiKey-Teilenr. | IXTY4N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTY4N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 4A TO252 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 27 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 80W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 8.3 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 455 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 80W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 850mOhm bei 2A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| IPD80R750P7ATMA1 | Infineon Technologies | 3.376 | IPD80R750P7ATMA1CT-ND | 2,01000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 3,49000 € | 3,49 € |
| 70 | 1,69000 € | 118,30 € |
| 140 | 1,53657 € | 215,12 € |
| 560 | 1,29880 € | 727,33 € |
| 1.050 | 1,21535 € | 1.276,12 € |
| 2.030 | 1,14087 € | 2.315,97 € |
| 5.040 | 1,09138 € | 5.500,56 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 3,49000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 4,15310 € |

