N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXTY2N100P

DigiKey-Teilenr.
238-IXTY2N100P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTY2N100P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 2A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 2 A (Tc) 86W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
24.3 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
655 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
86W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
7,5Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
14,01000 €4,01 €
701,96329 €137,43 €
1401,78971 €250,56 €
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