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STMicroelectronics
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Datenblatt
N-Kanal 800 V 1 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
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N-Kanal 800 V 1 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
TO-252AA

IXTY1N80P

DigiKey-Teilenr.
IXTY1N80P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTY1N80P
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 800 V 1 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA
Datenblatt
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Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 50µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
9 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
250 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
800 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-252AA
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
14Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STD1NK80ZT4STMicroelectronics2.989497-4751-1-ND1,50000 ۀhnlich
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3501,41197 €494,19 €
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