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TO-3P
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IXTQ18N60P

cms-digikey-product-number
IXTQ18N60P-ND
cms-manufacturer
cms-manufacturer-product-number
IXTQ18N60P
cms-description
MOSFET N-CH 600V 18A TO3P
cms-standard-lead-time
38 Wochen
cms-customer-reference
cms-detailed-description
N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
cms-datasheet
 cms-datasheet
cms-product-attributes
cms-type
cms-description
cms-select-all
cms-category
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
420mOhm bei 9A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2500 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
cms-product-q-and-a

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Auf Bestellung verfügbar
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3002,57510 €772,53 €
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