
IXTQ18N60P | |
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cms-digikey-product-number | IXTQ18N60P-ND |
cms-manufacturer | |
cms-manufacturer-product-number | IXTQ18N60P |
cms-description | MOSFET N-CH 600V 18A TO3P |
cms-standard-lead-time | 38 Wochen |
cms-customer-reference | |
cms-detailed-description | N-Kanal 600 V 18 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P |
cms-datasheet | cms-datasheet |
cms-type | cms-description | cms-select-all |
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cms-category | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 420mOhm bei 9A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 49 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 2500 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 360W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-3P | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
cms-quantity | cms-unit-price | cms-ext-price |
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300 | 2,57510 € | 772,53 € |
Stückpreis ohne MwSt.: | 2,57510 € |
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Stückpreis mit MwSt.: | 3,06437 € |