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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTP2N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTP2N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP2N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 2A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 41 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 2 A (Tc) 55W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 2,3Ohm bei 1A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 4.3 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 180 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 55W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 58
Bestand des Herstellers: 6.600
Auf zusätzliche eingehende Bestände prüfen
Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,18000 € | 2,18 € |
| 50 | 1,15500 € | 57,75 € |
| 100 | 1,14620 € | 114,62 € |
| 500 | 1,04824 € | 524,12 € |
| 1.000 | 1,01411 € | 1.014,11 € |
| 2.000 | 0,98980 € | 1.979,60 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,18000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 2,59420 € |
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