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IXTP110N12T2 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Vom Hersteller empfohlen
Ähnlich
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTP110N12T2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTP110N12T2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP110N12T2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 120V 110A TO220AB |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 120 V 110 A (Tc) 517W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Ähnliche Produkte anzeigen
Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 120 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 6570 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 517W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 120 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 14mOhm bei 55A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (2)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP80N12T2 | IXYS | 0 | 238-IXTP80N12T2-ND | 1,61353 € | Vom Hersteller empfohlen |
| FDP2532 | onsemi | 1.013 | FDP2532-ND | 4,03000 € | Ähnlich |
Obsolet
Nicht stornierbar / keine Rückgabe
