N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP110N055T2

DigiKey-Teilenr.
IXTP110N055T2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP110N055T2
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
57 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3060 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,6mOhm bei 25A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 214
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,38000 €3,38 €
501,71280 €85,64 €
1001,55060 €155,06 €
5001,26670 €633,35 €
1.0001,17548 €1.175,48 €
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5.0001,04400 €5.220,00 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,02220 €