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N-Kanal 600 V 5 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP10N60PM

DigiKey-Teilenr.
IXTP10N60PM-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP10N60PM
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 5 A (Tc) 50W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
32 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1610 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
740mOhm bei 5A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Obsolet
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe