N-Kanal 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP02N120P

DigiKey-Teilenr.
IXTP02N120P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP02N120P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 200mA (Tc) 33W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 100µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
4.7 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
104 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
33W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
75Ohm bei 100mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,49000 €3,49 €
501,77460 €88,73 €
1001,60780 €160,78 €
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Standardverpackung des Herstellers
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