Name: IXTH62N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXTH62N65X2-ND
Price: 12.9948 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH62N65X2
DigiKey-Teilenr.	IXTH62N65X2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTH62N65X2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 62A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 62 A (Tc) 780W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	62 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 31A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	104 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5940 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	780W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXTH62

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1	10,92000 €	10,92 €
30	6,59200 €	197,76 €
120	5,64317 €	677,18 €
510	5,40104 €	2.754,53 €

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