IXTH60N25 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich


Infineon Technologies
Vorrätig: 0
Stückpreis : 3,64000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 354
Stückpreis : 2,91000 €
Datenblatt

Ähnlich


STMicroelectronics
Vorrätig: 547
Stückpreis : 6,36000 €
Datenblatt
IXYX110N120A4
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH60N25

DigiKey-Teilenr.
IXTH60N25-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH60N25
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 60A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 60 A (Tc) 400W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Obsolet
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
46mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
164 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
400W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Obsolet
Dieses Produkt wird nicht mehr hergestellt. Ersatzartikel anzeigen.
Nicht stornierbar / keine Rückgabe