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N-Kanal 650 V 52 A (Tc) 660W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH52N65X

DigiKey-Teilenr.
IXTH52N65X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH52N65X
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 52A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 52 A (Tc) 660W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXTH52N65X Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
113 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4350 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
660W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
68mOhm bei 26A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (6)
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