
IXTH200N10T | |
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DigiKey-Teilenr. | 238-IXTH200N10T-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTH200N10T |
Beschreibung | MOSFET N-CH 100V 200A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 23 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 550W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 5,5mOhm bei 50A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4,5V bei 250µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 152 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±30V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 9400 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 550W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 175°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-247 (IXTH) | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 8,79000 € | 8,79 € |
| 30 | 5,20800 € | 156,24 € |
| 120 | 4,42200 € | 530,64 € |
| 510 | 4,06694 € | 2.074,14 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 8,79000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 10,46010 € |











