N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 550W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH200N10T

DigiKey-Teilenr.
238-IXTH200N10T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH200N10T
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 200A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 550W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
152 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
9400 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
550W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
5,5mOhm bei 50A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
110,30000 €10,30 €
306,15700 €184,71 €
1205,24883 €629,86 €
5104,60231 €2.347,18 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:10,30000 €
Stückpreis mit MwSt.:12,25700 €
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