
IXTH12N65X2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 238-IXTH12N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTH12N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 29 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 17 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1100 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 180W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 300mOhm bei 6A, 10V |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 5,88000 € | 5,88 € |
| 30 | 3,37200 € | 101,16 € |
| 120 | 2,95825 € | 354,99 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 5,88000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 6,99720 € |

