Name: IXTH12N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH12N65X2-ND
Price: 6.3546 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH12N65X2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTH12N65X2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTH12N65X2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	300mOhm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1100 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXTH12

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