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N-Kanal 1000 V 12 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH12N100

DigiKey-Teilenr.
IXTH12N100-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH12N100
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 12 A (Tc) 300W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
170 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
1,05Ohm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Obsolet
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Nicht stornierbar / keine Rückgabe