Name: IXTH02N250
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTH02N250-ND
Price: 19.3018 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH02N250
DigiKey-Teilenr.	238-IXTH02N250-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTH02N250
Beschreibung	MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 2500 V 200mA (Tc) 83W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	2500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	200mA (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	450Ohm bei 50mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	7.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	116 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXTH02

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30	10,13400 €	304,02 €
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