Name: IXSH65N120L2KHV
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSH65N120L2KHV-ND
Price: 10.2935 EUR
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IXSH65N120L2KHV
DigiKey-Teilenr.	238-IXSH65N120L2KHV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXSH65N120L2KHV
Beschreibung	1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	65 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	15V, 18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 20A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 9mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	110 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2160 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	375W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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