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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 733
Stückpreis : 12,11000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


onsemi
Vorrätig: 358
Stückpreis : 12,86000 €
Datenblatt

Direkter Ersatz


Infineon Technologies
Vorrätig: 3.626
Stückpreis : 7,53000 €
Datenblatt

Upgrade


onsemi
Vorrätig: 9
Stückpreis : 12,88000 €
Datenblatt

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Microchip Technology
Vorrätig: 58
Stückpreis : 17,39000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

Ähnlich


onsemi
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 10
Stückpreis : 10,85000 €
Datenblatt

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STMicroelectronics
Vorrätig: 488
Stückpreis : 5,50000 €
Datenblatt

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Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 50
Stückpreis : 16,95000 €
Datenblatt

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Renesas Electronics Corporation
Vorrätig: 0
Stückpreis : 0,00000 €
Datenblatt
TO-247-AD-EP-(H)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXKH70N60C5

DigiKey-Teilenr.
238-IXKH70N60C5-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXKH70N60C5
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 70 A (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
45mOhm bei 44A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
3,5V bei 3mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
190 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6800 pF @ 100 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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