TO-268
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFT50N50P3

DigiKey-Teilenr.
IXFT50N50P3-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFT50N50P3
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 50A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers
67 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 500 V 50 A (Tc) 960W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
120mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
85 nC @ 0 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4335 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
960W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-268AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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