IXFP220N06T3 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXFP220N06T3 ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

Verfügbare Ersatzkomponenten:

Ähnlich

Texas Instruments

Vorrätig: 1.499

Stückpreis : 2,50000 €

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 529

Stückpreis : 2,05000 €

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 426

Stückpreis : 3,13000 €

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 6.623

Stückpreis : 2,88000 €

Ähnlich

Infineon Technologies

Vorrätig: 3.024

Stückpreis : 2,14000 €

Ähnlich

Nexperia USA Inc.

Vorrätig: 835

Stückpreis : 4,39000 €

Ähnlich

Taiwan Semiconductor Corporation

Vorrätig: 3.980

Stückpreis : 3,80000 €

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFP220N06T3
DigiKey-Teilenr.	IXFP220N06T3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFP220N06T3
Beschreibung	MOSFET N-CH 60V 220A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 60 V 220 A (Tc) 440W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiperFET™, TrenchT3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	60 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	220 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4mOhm bei 100A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	136 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	8500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	440W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXFP220