Name: IXFH26N100X
Brand: IXYS
SKU: IXFH26N100X-ND
Price: 20.2776 EUR
Availability: InStock

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IXFH26N100X
DigiKey-Teilenr.	IXFH26N100X-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH26N100X
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 26A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 26 A (Tc) 860W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	26 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	320mOhm bei 13A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	6V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	113 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3290 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	860W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXFH26

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30	10,69533 €	320,86 €
120	9,59125 €	1.150,95 €

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