
SPP15N60C3XKSA1 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-SPP15N60C3XKSA1-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPP15N60C3XKSA1 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 15A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 15 A (Tc) 156W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | SPP15N60C3XKSA1 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 675µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 63 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1660 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 156W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3-1 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 280mOhm bei 9,4A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
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| SPP11N80C3XKSA1 | Infineon Technologies | 3.049 | SPP11N80C3XKSA1-ND | 3,28000 € | Direkter Ersatz |
| IPP60R280P7XKSA1 | Infineon Technologies | 43 | IPP60R280P7XKSA1-ND | 2,21000 € | Vom Hersteller empfohlen |
| IPP65R045C7XKSA1 | Infineon Technologies | 417 | 448-IPP65R045C7XKSA1-ND | 9,49000 € | Ähnlich |
| SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP21N65EF-GE3-ND | 5,02000 € | Direkter Ersatz |
| FCP260N60E | onsemi | 190 | FCP260N60EOS-ND | 3,45000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,15000 € | 4,15 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,15000 € |
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| Stückpreis mit MwSt.: | 4,93850 € |








