N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
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SPP11N60C3XKSA1

DigiKey-Teilenr.
SPP11N60C3XKSA1-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
SPP11N60C3XKSA1
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 11 A (Tc) 125W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3-1
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
SPP11N60C3XKSA1 Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
3,9V bei 500µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
60 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1200 pF @ 25 V
Status der Komponente
Nur verfügbar bis
Verlustleistung (max.)
125W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
PG-TO220-3-1
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
380mOhm bei 7A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (12)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPP60R360P7XKSA1Infineon Technologies1.296448-IPP60R360P7XKSA1-ND2,24000 €Vom Hersteller empfohlen
AOT11S60LAlpha & Omega Semiconductor Inc.995785-1250-5-ND3,08000 ۀhnlich
FCP11N60Fonsemi2.037FCP11N60FFS-ND3,78000 ۀhnlich
IPP60R380E6XKSA1Rochester Electronics, LLC12.0002156-IPP60R380E6XKSA1-ND1,31933 ۀhnlich
IRF610LPBFVishay Siliconix0IRF610LPBF-ND0,73750 ۀhnlich
Auf Lager: 2.008
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Verfügbar bis: 30.09.2026
Alle Preise in EUR
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,65000 €3,65 €
501,83100 €91,55 €
1001,65500 €165,50 €
5001,34648 €673,24 €
1.0001,24735 €1.247,35 €
2.0001,16403 €2.328,06 €
5.0001,07394 €5.369,70 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:3,65000 €
Stückpreis mit MwSt.:4,34350 €