Name: SPD08N50C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD08N50C3ATMA1TR-ND
Price: 2.5704 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPD08N50C3ATMA1
DigiKey-Teilenr.	SPD08N50C3ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SPD08N50C3ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SPD08N50C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPD08N50C3ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 7,6 A (Tc) 83W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPD08N50C3ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	7,6 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	600mOhm bei 4,6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,9V bei 350µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	32 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	750 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SPD08N50