Name: SPD04P10PLGBTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD04P10PLGBTMA1TR-ND
Price: 1.2971 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

SPD04P10PLGBTMA1
DigiKey-Teilenr.	SPD04P10PLGBTMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SPD04P10PLGBTMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SPD04P10PLGBTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPD04P10PLGBTMA1
Beschreibung	MOSFET P-CH 100V 4.2A TO252-3
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	P-Kanal 100 V 4,2 A (Tc) 38W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPD04P10PLGBTMA1 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	P-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	4,2 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	4,5V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	850mOhm bei 3A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2V bei 380µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	16 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	372 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	38W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	Automobiltechnik
Qualifizierung	AEC-Q101
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TO252-3
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	SPD04P10