Name: SPD02N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD02N80C3ATMA1TR-ND
Price: 1.7612 EUR
Availability: InStock

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SPD02N80C3ATMA1
DigiKey-Teilenr.	SPD02N80C3ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) SPD02N80C3ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) SPD02N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	SPD02N80C3ATMA1
Beschreibung	MOSFET N-CH 800V 2A TO252-3
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 800 V 2 A (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage PG-TO252-3
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	SPD02N80C3ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 120µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 16 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 290 pF @ 100 V
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen	Verlustleistung (max.) 42W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO252-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 2 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer SPD02N80
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 2,7Ohm bei 1,2A, 10V