
SPA11N80C3XKSA2 | |
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DigiKey-Teilenr. | 448-SPA11N80C3XKSA2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | SPA11N80C3XKSA2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 11 A (Tc) 34W (Tc) Durchkontaktierung PG-TO220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 3,9V bei 680µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 85 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1600 pF @ 100 V |
Status der Komponente Nicht für Neukonstruktionen | Verlustleistung (max.) 34W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V | Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TO220-3 |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 7,1A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP8N70X2M | IXYS | 12 | IXTP8N70X2M-ND | 4,40000 € | Ähnlich |
| TK12E80W,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | 0 | TK12E80WS1X-ND | 4,89000 € | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 2,96000 € | 2,96 € |
| 50 | 1,48000 € | 74,00 € |
| 100 | 1,33660 € | 133,66 € |
| 500 | 1,08512 € | 542,56 € |
| 1.000 | 1,00434 € | 1.004,34 € |
| 2.000 | 0,93643 € | 1.872,86 € |
| 5.000 | 0,86934 € | 4.346,70 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 2,96000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 3,52240 € |


