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TK12E80W,S1X ist nicht mehr auf Lager, steht aber für die Rückstandsbestellung zur Verfügung.
Verfügbare Ersatzkomponenten:
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
TK12E80W,S1X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | TK12E80WS1X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | TK12E80W,S1X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 16 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 800 V 11,5 A (Ta) 165W (Tc) Durchkontaktierung TO-220 |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | TK12E80W,S1X Modelle |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 800 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | 10V | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 450mOhm bei 5,8A, 10V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | 4V bei 570µA | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23 nC @ 10 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 1400 pF @ 300 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 165W (Tc) | |
Betriebstemperatur | 150°C | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
0 auf Lager
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Menge
Alle Preise in EUR
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | 4,51000 € | 4,51 € |
| 50 | 2,35560 € | 117,78 € |
| 100 | 2,14800 € | 214,80 € |
| 500 | 1,78424 € | 892,12 € |
| 1.000 | 1,74359 € | 1.743,59 € |
| Stückpreis ohne MwSt.: | 4,51000 € |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | 5,36690 € |
Deutschland