Name: ISZ106N12LM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND
Price: 2.1301 EUR
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISZ106N12LM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISZ106N12LM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISZ106N12LM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISZ106N12LM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISZ106N12LM6ATMA1
Beschreibung	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR,120V
Standardlieferzeit des Herstellers	26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 120 V 10A (Ta), 62A (Tc) 2,5W (Ta), 94W (Tc) Oberflächenmontage PG-TSDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 6
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	120 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	10A (Ta), 62A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	3,3V, 10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	10,6mOhm bei 28A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,2V bei 35µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	26 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1800 pF @ 60 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	2,5W (Ta), 94W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TSDSON-8 FL
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer	ISZ106