Name: ISCH99N04NM7VATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISCH99N04NM7VATMA1TR-ND
Price: 2.5585 EUR
Availability: InStock

Neues Produkt

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

ISCH99N04NM7VATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISCH99N04NM7VATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISCH99N04NM7VATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISCH99N04NM7VATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISCH99N04NM7VATMA1
Beschreibung	ISCH99N04NM7VATMA1
Standardlieferzeit des Herstellers	17 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 40A (Ta), 284A (Tc) 3W (Ta), 150W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 7
Verpackung	Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	40 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	40A (Ta), 284A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V, 15V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	0,9mOhm bei 50A, 15V
Vgs(th) (max.) bei Id	3,15V bei 66µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4400 pF @ 20 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	3W (Ta), 150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	PG-TDSON-8
Gehäuse / Hülle	8-PowerTDFN