Name: ISC080N10NM6ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC080N10NM6ATMA1TR-ND
Price: 2.4633 EUR
Availability: InStock

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ISC080N10NM6ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC080N10NM6ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC080N10NM6ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC080N10NM6ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC080N10NM6ATMA1
Beschreibung	TRENCH >=100V PG-TDSON-8
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 13A (Ta), 75A (Tc) 3W (Ta), 100W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC080N10NM6ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,3V bei 36µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 24 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 6	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1800 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 100W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8 FL
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 13A (Ta), 75A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 8V, 10V	Basis-Produktnummer ISC080N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 8,05mOhm bei 20A, 10V