Name: ISC015N04NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-ISC015N04NM5ATMA1TR-ND
Price: 2.1182 EUR
Availability: InStock

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ISC015N04NM5ATMA1
DigiKey-Teilenr.	448-ISC015N04NM5ATMA1TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 448-ISC015N04NM5ATMA1CT-ND - Gurtabschnitt (CT) 448-ISC015N04NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	ISC015N04NM5ATMA1
Beschreibung	40V 1.5M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 40 V 33A (Ta), 206A (Tc) 3W (Ta), 115W (Tc) Oberflächenmontage PG-TDSON-8 FL
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	ISC015N04NM5ATMA1 Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 3,4V bei 60µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 67 nC @ 10 V
Serie OptiMOS™ 5	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4800 pF @ 20 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3W (Ta), 115W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V	Gehäusetyp vom Lieferanten PG-TDSON-8 FL
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 33A (Ta), 206A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 7V, 10V	Basis-Produktnummer ISC015N
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 1,5mOhm bei 50A, 10V