Name: IRLB4030PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRLB4030PBF-ND
Price: 4.8552 EUR
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRLB4030PBF
DigiKey-Teilenr.	448-IRLB4030PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRLB4030PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRLB4030PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,5V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 130 nC @ 4.5 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±16V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 11360 pF @ 50 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 370W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 180 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-220-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IRLB4030
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 4,3mOhm bei 110A, 10V

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	4,08000 €	4,08 €
10	2,67600 €	26,76 €
100	1,87700 €	187,70 €
500	1,53554 €	767,77 €
1.000	1,42587 €	1.425,87 €
2.000	1,33369 €	2.667,38 €
5.000	1,23402 €	6.170,10 €

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