N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRLB4030PBF

DigiKey-Teilenr.
448-IRLB4030PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRLB4030PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 100 V 180 A (Tc) 370W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IRLB4030PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
2,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 4.5 V
Serie
Vgs (Max.)
±16V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
11360 pF @ 50 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
100 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,3mOhm bei 110A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
13,49000 €3,49 €
102,29100 €22,91 €
1001,60670 €160,67 €
5001,31442 €657,21 €
1.0001,22054 €1.220,54 €
2.0001,14163 €2.283,26 €
5.0001,09053 €5.452,65 €
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:4,15310 €