N-Kanal 40 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
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IRL1004PBF

DigiKey-Teilenr.
IRL1004PBF-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IRL1004PBF
Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 40 V 130 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB
Datenblatt
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IRL1004PBF Modelle
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
1V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
100 nC @ 4.5 V
Serie
Vgs (Max.)
±16V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
5330 pF @ 25 V
Status der Komponente
Obsolet
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
40 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
4,5V, 10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
6,5mOhm bei 78A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
IPP041N04NGXKSA1Infineon Technologies516448-IPP041N04NGXKSA1-ND1,50000 €Vom Hersteller empfohlen
CSD18504KCSRochester Electronics, LLC7.0092156-CSD18504KCS-ND2,13000 ۀhnlich
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STP95N4F3STMicroelectronics0497-7536-5-ND0,75743 ۀhnlich
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