Name: IRFP4668PBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFP4668PBF-ND
Price: 2.23167 EUR
Availability: OutOfStock

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N-Kanal 200 V 130 A (Tc) 520W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC

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IRFP4668PBF
DigiKey-Teilenr.	IRFP4668PBF-ND
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFP4668PBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 130 A (Tc) 520W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AC
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFP4668PBF Modelle

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 241 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10720 pF @ 50 V
Status der Komponente Nur verfügbar bis	Verlustleistung (max.) 520W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AC
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 130 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IRFP4668
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 9,7mOhm bei 81A, 10V

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Ersatzartikel (3)

Teilenummer	Hersteller	Verfügbare Menge	DigiKey-Teilenr.	Stückpreis	Typ des Ersatzartikels
IRFP4668PBFXKMA1	Infineon Technologies	17	448-IRFP4668PBFXKMA1-ND	54,45000 €	Vom Hersteller empfohlen
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