Name: IRFH8201TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH8201TRPBFTR-ND
Price: 2.4514 EUR
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IRFH8201TRPBF
DigiKey-Teilenr.	IRFH8201TRPBFTR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) IRFH8201TRPBFCT-ND - Gurtabschnitt (CT) IRFH8201TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Hersteller	Infineon Technologies
Hersteller-Teilenummer	IRFH8201TRPBF
Beschreibung	MOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
Standardlieferzeit des Herstellers	61 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 25 V 49 A (Ta), 100 A (Tc) 3,6W (Ta), 156W (Tc) Oberflächenmontage 8-PQFN (5x6)
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IRFH8201TRPBF Modelle

Produkteigenschaften

Ähnliche Produkte anzeigen

Leere Attribute anzeigen

Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 2,35V bei 150µA
Herst. Infineon Technologies	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 111 nC @ 10 V
Serie HEXFET®, StrongIRFET™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) Gurtabschnitt (CT) Digi-Reel®	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 7330 pF @ 13 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 3,6W (Ta), 156W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25 V	Gehäusetyp vom Lieferanten 8-PQFN (5x6)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 49 A (Ta), 100 A (Tc)	Gehäuse / Hülle 8-PowerTDFN
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 4,5V, 10V	Basis-Produktnummer IRFH8201
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 0,95mOhm bei 50A, 10V